  首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和 然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化 杂质。三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并 硅对晶圆的表面应力。涂覆光阻(完整过程包括， 用化学溶液进行清洗。 甩胶->预烘->曝光->显影->后烘->腐蚀->去除 光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。   光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。 在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以 (所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的 形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线 材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除 成7度角，以防止发生沟道效应，即离子不与原 可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180度的 子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行 磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。 退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完 成工序所形成的格局)。   LOCOS(local oxidation of silicon)选择性氧化：湿 去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型阱区 法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现鸟嘴现象， 域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离分为接 影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上生成的同时也向下移 触式、接近式和投影式曝光三种，常用投影式 动，为膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅层后，出现表 又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度和分 面台阶现象。湿法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩 辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片表面 散速度高于O2。硅膜越厚所需时间越长。 平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。   离子植入磷离子(+5)，所以出现多余电子，呈现 在表面重新氧化生成二氧化硅层，LPCVD沉积 负电荷状态。电荷移动速度高于P型约0.25倍。 氮化硅层，以光阻定出下一步的field oxide区域。 以缓冲氢氟酸液去除二氧化硅层。   在上述多晶硅层外围，氧化二氧化硅层以作为 形成NMOS，以砷离子进行植入形成源漏极。 保护。涂布光阻，以便利用光刻技术进行下一 此工序在约1000度出完成，不能采用铝栅极工 步的工序。 艺，因铝不能耐高温，此工艺也称为自对准工 艺。砷离子的植入也降低了多晶硅的电阻率(块 电阻约为30欧姆)。还采用在多晶硅上沉积高熔 点金属材料的硅化物(MoSi2、Wsi2、TiSi2等)， |
图解CMOS制作
责任编辑：5life
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