您的位置:技术中心首页 > 电路基础 >> 场效应管与三极管的性能比较

场效应管与三极管的性能比较

作者:未知   时间:2006-11-19 07:22:49  来自:网上转载  浏览次数:766  文字大小:【】【】【

1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。

2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。

3.场效应管栅极几乎不取电流(ig»0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。

4.场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。

5.场效应管在源极水与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b值将减小很多。

6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

责任编辑:5life

更多相关 场效应管 三极管 的文章

本文共有0条评论,现在显示最新的5条。

栏目导航

电路基础
硬件语言
逻辑验证
电路综合
后端设计
可测设计
基本逻辑
制造工艺
书籍精选
说文解字
工具学习
数字滤波
趣闻逸事
数字锁相
设计杂项
低耗设计

站点最新

更多相关链接

  上拉电阻下拉电阻的总结
  场效应管与三极管的性能比较
  TTL电路
  TTL和CMOS电平总结
  状态机性能考察
  使用Verilog实现基于FPG...
  芯片设计中的IP技术
  认识IC Layout
  基本数字逻辑单元
  CMOS反向器版图

栏目最新

更多相关链接

  上拉电阻下拉电阻的总结
  场效应管与三极管的性能比较
  TTL电路
  TTL和CMOS电平总结
  状态机性能考察
  使用Verilog实现基于FPG...
  芯片设计中的IP技术
  认识IC Layout
  基本数字逻辑单元
  CMOS反向器版图

热点文章

更多相关链接